兩種常見的降低常壓等離子清洗機(jī)DBD放電電場的方法
文章導(dǎo)讀：在之前的文章中有向大家介紹DBD常壓等離子清洗機(jī)的相關(guān)知識，通過選擇具有高能亞穩(wěn)態(tài)粒子的氣體確實能夠降低常壓等離子清洗機(jī)DBD放電電場，今天就為大家介紹另外兩種常見的降低DBD放電電場的方法，希望對大家有所幫助：
通過均勻電場的湯生放電自持條件，可以得出γ是陰極的二次電子發(fā)射系數(shù)。若增大γ，則α可以減小，即滿足上式要求的電場E可以降低。對于DBD，陰極通常被絕緣介質(zhì)覆蓋，γ應(yīng)該推廣到氣隙中所有途徑產(chǎn)生的“種子”電子，即放電開始前氣隙中的電子。因此，降低常壓等離子清洗機(jī)DBD放電電場的方法就是增加種子電子。通過選擇具有高能亞穩(wěn)態(tài)粒子的氣體能夠有效降低常壓等離子清洗機(jī)DBD放電電場，那么其實還有另外兩種常見的降低DBD放電電場的方法：
一、選擇γ系數(shù)大的阻擋介質(zhì)
一般情況下，γ系數(shù)是指金屬陰極的二次電子發(fā)射系數(shù)。但是對于DBD而言，金屬電極通常被絕緣介質(zhì)覆蓋，正離子和光子難以直接轟擊陰極而產(chǎn)生二次電子發(fā)射。理論研究和實驗研究表明，由于正離子和光子的轟擊，覆蓋陰極的阻擋介質(zhì)也可能發(fā)射二次電子，只不過這些電子不是來自絕緣介質(zhì)本身的束縛電子，而是來自阻擋介質(zhì)表面淺位阱（<1eV)內(nèi)的入陷電子。這些入陷電子是在上一個電流脈沖期間從氣隙進(jìn)入介質(zhì)表面淺位阱的。若阻擋介質(zhì)表面淺位阱較多，則等效的γ系數(shù)也較大。
一般情況下，γ系數(shù)是指金屬陰極的二次電子發(fā)射系數(shù)。但是對于DBD而言，金屬電極通常被絕緣介質(zhì)覆蓋，正離子和光子難以直接轟擊陰極而產(chǎn)生二次電子發(fā)射。理論研究和實驗研究表明，由于正離子和光子的轟擊，覆蓋陰極的阻擋介質(zhì)也可能發(fā)射二次電子，只不過這些電子不是來自絕緣介質(zhì)本身的束縛電子，而是來自阻擋介質(zhì)表面淺位阱（<1eV)內(nèi)的入陷電子。這些入陷電子是在上一個電流脈沖期間從氣隙進(jìn)入介質(zhì)表面淺位阱的。若阻擋介質(zhì)表面淺位阱較多，則等效的γ系數(shù)也較大。
二、平行氣流直達(dá)氣隙
DBD研究發(fā)現(xiàn)：向放電氣隙吹氣可以明顯地改善放電的均勻程度。但并不是很多人都認(rèn)識到，吹氣管道不應(yīng)該僅僅接到放電室為止，而必須進(jìn)入到放電室內(nèi)直接抵達(dá)放電氣隙，這樣才能提高氣隙中的流速，增大對放電均勻度的影響。
DBD研究發(fā)現(xiàn)：向放電氣隙吹氣可以明顯地改善放電的均勻程度。但并不是很多人都認(rèn)識到，吹氣管道不應(yīng)該僅僅接到放電室為止，而必須進(jìn)入到放電室內(nèi)直接抵達(dá)放電氣隙，這樣才能提高氣隙中的流速，增大對放電均勻度的影響。
除此以外，使用高能射線（如紫外射線）照射氣隙也可以增加種子電子。另外，冷卻阻擋介質(zhì)可能有利于避免介質(zhì)表面淺位阱內(nèi)的入陷電子過早逃逸，這些對獲得大氣壓下均勻放電均有幫助。
以上就是兩種常見的降低常壓等離子清洗機(jī)DBD放電電場的方法，普樂斯電子9年專注研制常壓大氣等離子清洗機(jī)，低壓真空等離子表面處理設(shè)備，已通過ISO9001質(zhì)量體系和歐盟CE認(rèn)證，為電子、半導(dǎo)體、汽車、yi療等領(lǐng)域的客戶提供清洗，活化，刻蝕，涂覆的等離子表面處理解決方案。如果您想要了解更多關(guān)于產(chǎn)品的詳細(xì)內(nèi)容或在設(shè)備使用中有疑問，歡迎點(diǎn)擊普樂斯的在線客服進(jìn)行咨詢，或者直接撥打全國統(tǒng)一服務(wù)熱線400-816-9009，普樂斯恭候您的來電！
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