與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點在哪里？
文章導讀：當前，以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開始從8英寸邁向了12英寸，當前環(huán)境下，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點會在哪里？普樂斯小伙伴給大家收集了一些資料，一起來看一下。
當前，以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開始從8英寸邁向了12英寸，當前環(huán)境下，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點會在哪里？普樂斯小伙伴給大家收集了一些資料，一起來看一下。
據(jù)介紹：“與硅材料芯片相比，8英寸和6英寸SiC生產(chǎn)的主要差別在高溫工藝上，例如高溫離子注入，高溫氧化，高溫激活等，以及這些高溫工藝所需求的hard mask（硬掩模）工藝等。”而高溫工藝關乎著SiC的良率，這也是各大SiC廠商所著力研發(fā)的關鍵環(huán)節(jié)之一。
除了與硅晶圓在生產(chǎn)工藝上有所差異以外，在SiC從6英寸向8英寸發(fā)展的過程中也存在著一些差異。“在功率半導體制造的離子注入、薄膜沉積、介質刻蝕、金屬化等環(huán)節(jié)，8英寸碳化硅與6英寸SiC的差距不大。”某博士指出：“8英寸SiC的制造難點主要集中在襯底生長、襯底切割加工、氧化工藝。其中，襯底生長方面，擴徑到8英寸，對襯底生長的難度會成倍增加；襯底切割加工方面，越大尺寸的襯底切割應力、翹曲的問題越顯著；氧化工藝一直是碳化硅工藝中的核心難點，8英寸、6英寸對氣流和溫場的控制有不同需求，工藝需各自獨立開發(fā)。”
顯然，SiC向更大晶圓面積發(fā)展的路并不好走，在這一點上，從SiC從4英寸走向6英寸的過程中便可略窺一二——據(jù) Yole 預測數(shù)據(jù)顯示，2020 年4英寸SiC晶圓接近 10 萬片，而 6英寸晶圓市場需求已超過8萬片，預計將在2030年逐步超越4英寸晶圓。
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普樂斯電子12年專注研制等離子清洗機，等離子體清洗機，等離子清洗設備，常壓大氣和低壓真空型低溫等離子表面處理設備，大氣低溫等離子體表面處理系統(tǒng)，大氣常壓收放卷等離子表面設備處理，已通過ISO9001質量體系和歐盟CE認證，為電子、半導體、汽車、yi療等領域的客戶提供清洗、活化、刻蝕、涂覆的等離子表面處理解決方案，是行業(yè)內(nèi)值得信賴的等離子清洗機廠家。如果您想要了解更多關于產(chǎn)品的詳細內(nèi)容或在設備使用中有疑問，歡迎點擊普樂斯的在線客服進行咨詢，或者直接撥打全國統(tǒng)一服務熱線400-816-9009，普樂斯隨時恭候您的來電！
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