普樂(lè)斯等離子清洗機(jī)助力中國(guó)大力發(fā)展半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)大國(guó)崛起！
文章導(dǎo)讀：中國(guó)想要實(shí)現(xiàn)大國(guó)崛起之路，實(shí)現(xiàn)對(duì)于進(jìn)口半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)替代，擺脫對(duì)于進(jìn)口的依賴(lài)迫在眉睫。盡管這可能需要用至少20年的時(shí)間追逐國(guó)際先進(jìn)水平，然而這是中國(guó)不得不面臨的必由之路。等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)已廣泛應(yīng)用，普樂(lè)斯將緊跟中國(guó)半導(dǎo)體材料的發(fā)展的步伐。
據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2019年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷(xiāo)售額超過(guò)521億美元，而中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售額增長(zhǎng)最快，是全球第三大市場(chǎng)，占比16%左右。以晶圓制造材料為例，晶圓制造材料一般包括硅片、電子特氣、光掩模、光刻膠、拋光材料等。根據(jù)SEMI 2018年的數(shù)據(jù)：
全球硅片產(chǎn)值約114萬(wàn)億美元；
全球電子特氣產(chǎn)值約43億美元；
全球光掩模產(chǎn)值約41億美元；
全球光刻膠產(chǎn)值約18億美元；
全球CMP拋光材料產(chǎn)值約21億美元；
全球?yàn)R射靶材產(chǎn)值約14億美元。
自19世紀(jì)80年代以來(lái)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以歐美主導(dǎo)設(shè)計(jì)上游環(huán)節(jié)、東亞負(fù)責(zé)制造和封測(cè)等下游環(huán)節(jié)，形成全球高度分工的體系。2018年，中美貿(mào)易戰(zhàn)點(diǎn)燃了中美科技層面競(jìng)賽的戰(zhàn)火。然而中國(guó)過(guò)去對(duì)于半導(dǎo)體材料及設(shè)備嚴(yán)重依賴(lài)于進(jìn)口，國(guó)內(nèi)對(duì)半導(dǎo)體材料的依存度在60%以上，面臨著被卡脖子的風(fēng)險(xiǎn)。此外，美國(guó)對(duì)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)的打壓，也給中國(guó)敲響了警鐘：中國(guó)不能再像過(guò)去一樣完全依賴(lài)于進(jìn)口供應(yīng)，而是應(yīng)該著力于發(fā)展本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的自給自足。
中國(guó)想要實(shí)現(xiàn)大國(guó)崛起之路，實(shí)現(xiàn)對(duì)于進(jìn)口半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)替代，擺脫對(duì)于進(jìn)口的依賴(lài)迫在眉睫。盡管這可能需要用至少20年的時(shí)間追逐國(guó)際先進(jìn)水平，然而這是中國(guó)不得不面臨的必由之路。等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)已廣泛應(yīng)用，普樂(lè)斯將緊跟中國(guó)半導(dǎo)體材料的發(fā)展的步伐。
因此，國(guó)內(nèi)陸續(xù)發(fā)布支持半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展的多項(xiàng)重大政策，從財(cái)稅政策、投融資政策、研究開(kāi)發(fā)政策、進(jìn)出口政策、人才政策、知識(shí)產(chǎn)權(quán)政策、市場(chǎng)應(yīng)用政策、國(guó)際合作政策等多個(gè)層面支持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。面臨由于新冠疫情造成的全球供應(yīng)短缺，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)加速發(fā)展，對(duì)于半導(dǎo)體材料的需求進(jìn)一步增大，對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料企業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)好消息。在國(guó)際嚴(yán)峻形勢(shì)和國(guó)內(nèi)政策推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展進(jìn)一步加速，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程大步向前。不僅僅是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司在存儲(chǔ)、射頻前端、毫米波、傳感器等重要領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一定程度的國(guó)產(chǎn)替代。
當(dāng)前，以氮化鎵、碳化硅等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體（也稱(chēng)第三代半導(dǎo)體），相比于傳統(tǒng)的硅材料，在高壓高頻方面有著性能的優(yōu)勢(shì)。寬禁帶半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等優(yōu)點(diǎn)，其中氮化鎵材料在高頻應(yīng)用方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)，而碳化硅材料在高功率器件方面應(yīng)用較廣。隨著5G技術(shù)和汽車(chē)行業(yè)的興起，對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體的研發(fā)進(jìn)程日益加快；而伴隨著成本控制逐漸成熟，第三代半導(dǎo)體必將在未來(lái)大展拳腳。根據(jù)Yole的預(yù)測(cè)，至2023年，碳化硅功率器件將以31%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)15億美元；氮化鎵在低壓功率市場(chǎng)占比約68%，未來(lái)的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。寬禁帶半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的新興賽道，國(guó)內(nèi)研發(fā)起步較早，相比于傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)，和國(guó)際先進(jìn)水平的差距較小，完全有可能在較短的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)跨越和趕超。
為加速?lài)?guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料及器件發(fā)展，促進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的人員互動(dòng)交流，推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。儀器信息網(wǎng)將于2021年10月19-21日舉辦第二屆“半導(dǎo)體材料與器件研究及應(yīng)用”主題網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)(i Conference on Research andApplication of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2021)”，本次會(huì)議邀請(qǐng)到清華大學(xué)、北京大學(xué)、上海交通大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、南京大學(xué)、華中科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、吉林大學(xué)、山東大學(xué)、南方科技大學(xué)、暨南大學(xué)、重慶大學(xué)、河北工業(yè)大學(xué)、海南師范大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校的知名學(xué)者，圍繞寬禁帶半導(dǎo)體/第三代半導(dǎo)體材料與器件、低維材料與器件、鈣鈦礦半導(dǎo)體與器件、半導(dǎo)體傳感器及其應(yīng)用等熱點(diǎn)議題分享精彩內(nèi)容，為國(guó)內(nèi)廣大半導(dǎo)體材料與器件研究、應(yīng)用及檢測(cè)的相關(guān)工作者提供一個(gè)突破時(shí)間地域限制的免費(fèi)學(xué)習(xí)平臺(tái)，讓大家足不出戶(hù)便能聆聽(tīng)到相關(guān)專(zhuān)家的精彩報(bào)告。
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普樂(lè)斯電子12年專(zhuān)注研制等離子清洗機(jī)，等離子體清洗機(jī)，等離子清洗設(shè)備，常壓大氣和低壓真空型低溫等離子表面處理設(shè)備，大氣低溫等離子體表面處理系統(tǒng)，大氣常壓收放卷等離子表面設(shè)備處理的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，普樂(lè)斯嚴(yán)格執(zhí)行ISO9001質(zhì)量體系管理，生產(chǎn)的等離子清洗機(jī)通過(guò)歐盟CE認(rèn)證，為電子、半導(dǎo)體、汽車(chē)、yi療等領(lǐng)域的客戶(hù)提供清洗、活化、刻蝕、涂覆的等離子表面處理解決方案，是行業(yè)內(nèi)值得信賴(lài)的等離子清洗機(jī)廠家。如果您想要了解關(guān)于產(chǎn)品的詳細(xì)內(nèi)容或在設(shè)備使用中存在疑問(wèn)，歡迎點(diǎn)擊普樂(lè)斯的在線客服進(jìn)行咨詢(xún)，或者直接撥打全國(guó)統(tǒng)一服務(wù)熱線400-816-9009，普樂(lè)斯隨時(shí)恭候您的來(lái)電！
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