數據顯示，2017年全球功率半導體市場中，工業(yè)應用市場占比為34%，汽車應用市場占比為23%，消費電子應用占比為20%，無線通訊應用占比為23%。
半導體功率器件在功率半導體中十分重要。目前，國內以揚杰科技、華微電子、士蘭微為代表的功率半導體龍頭企業(yè)市場占有率非常低，進口替代的空間巨大。據中商產業(yè)研究院，2018年國內半導體功率器件10強企業(yè)中，排名第1的為吉林華微科技，2017年營收達16.4億元。揚州揚杰電子科技排名第2，2017年營收為14.7億元。以下為排名：

功率器件市場現狀：歐美日把持，國內仍需努力
 
縱觀整個功率器件市場，整體態(tài)勢是歐美日廠商三足鼎立。 其中美國功率器件處于世界領xian地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和 Vishay 等廠商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導體大廠。日本主要有 Toshiba、 Renesas、 Rohm、 Matsushita、Fuji Electric 等。中國臺灣擁有富鼎先進、茂達、安茂、致新和沛亨等一批廠商。而我國則有上述代表。
 
功率半導體器件細分領域多， 行業(yè)整體增速較緩，大廠傾向于業(yè)內并購，通過布局新領域實現增長。 2016 年英飛凌科技成為全球功率半導體的主要供應商，其在 2015 年初收購美國國ji整流器公司（InternationalRectifier）后，英飛凌超過三菱電機成為領xian的功率模塊制造商。 德州儀器在 2015 年被英飛凌超越后，于 2016年退居全球第2。 安森美完成對飛兆半導體（Fairchild）的收購后，市場排名升至第三位，其在功率分立器件市場份額躍升 10%。 2016 年建廣資本以 27.5 億美元并購了 NXP 的標準器件部門，中國企業(yè)第1次進入行業(yè)全球前10強。
 
雖然國內功率器件近幾年獲得了不少的突破，且國內功率半導體器件市場規(guī)模大，但我們應該看到國內產業(yè)仍處于起步階段。 
 
據賽迪顧問， 2016 年， 中國功率半導體市場規(guī)模達到了 1496 億元， 占據了全球 40%以上的市場。 然而供應鏈仍然被國外廠商所壟斷， 國內企業(yè)相對而言規(guī)模較小、技術落后、品類不全，產業(yè)仍然處于起步和加速追趕的階段。 國內功率半導體企業(yè)排名第1的吉林華微， 2016 年營收為 13.95 億元，凈利潤僅為 4060 萬元。而全球行業(yè)老大英飛凌 2016 集團營收高達 64.73 億歐元， 中國龍頭企業(yè)和行業(yè)龍頭的差距在 30 倍以上。
 
據 Yole， 功率 IC 市場競爭格局成熟，供應鏈較為完善了。 美國在功率 IC 領域具有領xian優(yōu)勢，歐洲在功率 IC 和功率分立器件方面也都具有較強實力， 日本在功率 IC 芯片方面，雖然廠商數量眾多，但整體市場份額不高。 功率 IC 下游核心產品—電源 IC， Dialog、 Qualcomm 以及 Maxim 三家主要供應商以遙yao領xian的市占率主宰了智能手機市場。 2016 年建廣資本 27.5 億美元收購 NXP 標準部門完成交割，力圖填補國內汽車、工業(yè) IC 領域空白。
 
細分到各個領域，在功率二極管方面，國內廠商具競爭力，進口替代空間大。 
 
這個領域，guo際zui大廠商是 Vishay，占據11.71%市場份額，而后第2至第7大廠商市場份額為 5%-8%，與第1相差無幾，再在其后廠商市場份額不足 5%，市場相對分散。其中國內廠商揚杰科技市場份額為 2.01%。功率二極管技術成熟、市場進入門檻低， 注重的是生產過程的控制和成本的控制。國內廠商由于生產工藝控制精湛、人力成本低具有一定競爭力，國產替代空間較大。 根據工信部發(fā)布的中國電子信息產業(yè)統計年鑒， 自 2014 年后， 中國二極管及類似半導體器件出口數量持續(xù)超過進口額。
 
在硅基MOSFET方面，國內廠商潛力大，進口替代正當時。國內廠商主要集中在低壓 MOSFET領域，中高壓 MOSFET 主要被國外廠商占據。據 IHS，國內功率 MOSFET 市場主要廠商是英飛凌， 2016 年市場份額達 28.5%，與位于第二的安森美半導體占據了國內將近一半市場。國內廠商只有士蘭微和吉林華微上榜，分別占據了 1.9%和 1.1%的市場份額，進口替代的空間巨大。
 
2016 年， 建廣資本以 27.5 億元收購恩智浦半導體（NXP Semiconductors）標準產品業(yè)務部門， 成立一家名為 Nexperia 的獨立公司。
 
Nexperia 承接了 NXP 中 MOSFET 所有業(yè)務，一躍成為 MOSFET 領域全球第十、國內第八（市場份額 3.8%）的廠商。 NXP 是工業(yè)與汽車半導體領域大廠商， 相比之下，工業(yè)和汽車半導體一直是中國半導體企業(yè)的弱項，由于這個領域的產品門類多、單量小、售價高、迭代慢，國內企業(yè)很難進入。 Nexperia 的成立彌補了國內廠商在這一領域的短板。此外， 2016年建廣資本還與 NXP 成立合資公司瑞能半導體，產品主要為二極管、雙極性晶體管、可控硅整流器， 以及收購 NXP RF Power 部門，成立安譜隆公司致力于射頻技術領域的創(chuàng)新與研發(fā)。
 
至于硅基 IGBT，海外廠商優(yōu)勢明顯， CR4 高達 70.8%。
 
據 IHS， 2016 年， 英飛凌、 三菱電機、 富士電機(Fuji Electric)、 德國賽米控(SEMIKRON)四大海外供應商占了全球 IGBT 市場的 70.8%。盡管中國功率半導體市場占世界市場的 40%以上，但在 IGBT 主流器件上， 90%主要依賴進口，目前僅在大功率軌道交通領域實現國產化， 2016 年國廠嘉興斯達、中國中車市占率分別為 1.6/0.6%。
 
值得一提的是中國中車，他們立足高鐵用 IGBT，快速推進。 在合并前，北車在 IGBT 模塊封裝上與 ABB技術合作，建設高功率模塊生產線，成為國內第1家能夠封裝 6500V 大功率模塊及解決方案的提供商。南車則在海外收購 Dynex 公司建立 IGBT 芯片設計中心，總投資 14 億元建設國內首條八英寸 IGBT 芯片生產線，除芯片外，還有 9 條滿足不同行業(yè)的 IGBT 模塊生產線，預計完全投產后，中車將年產 12 萬片 8 英寸 IGBT 芯片和 100 萬只 IGBT 模塊。
 
來到第三代半導體方面，依然是海外公司技術領xian， 國內起步時間晚， 尚在追趕。
 
 SiC 關鍵技術由海外公司壟斷，從產業(yè)鏈來看，上游部分， CREE 公司獨占 SiC 晶元制造市場份額 60%以上；中游部分，英飛凌、 CREE、意法半導體和安森美等功率半導體領域國ji排名前十的企業(yè)合計已在 SiC 功率器件市場占據 50%以上份額。 相比于美國 CREE 公司于 2003 年推出 SiC 產品， 國內公司起步晚，技術相對落后。直到 2015 年初，泰科天潤才第1次實現了碳化硅肖特基二極管的量產，目前國內 SiC 產業(yè)規(guī)模于國外相比尚有較大差距。
 
由此可見，對于中國功率器件廠商來說，依然任重而道遠！

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