半導(dǎo)體封裝等離子清洗設(shè)備的基本技術(shù)原理是什么?
文章導(dǎo)讀:半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中,受材料、工藝以及環(huán)境的影響,晶圓芯片表面會(huì)存在肉眼看不到的各種微粒、有機(jī)物、氧化物及殘留的磨料顆粒等沾污雜質(zhì),而等離子清洗是zui適合的工藝方法。
在不破壞晶圓芯片及其他所用材料的表面特性、熱學(xué)特性和電學(xué)特性的前提下,清洗去除晶圓芯片表面的有害沾污雜質(zhì)物,對半導(dǎo)體器件功能性、可靠性、集成度等顯得尤為重要;否則,它們將對半導(dǎo)體器件的性能造成致命缺陷和影響,極大地降低產(chǎn)品良率,并將制約半導(dǎo)體器件的進(jìn)一步發(fā)展。等離子清洗的基本技術(shù)原理如下:
1、在密閉的真空腔體中,通過真空泵不斷抽氣,使得壓力值逐漸變小,真空度不斷提高,分子間的間距被拉大,分子間作用力越來越小,利用等離子發(fā)生器產(chǎn)生的高壓交變電場將Ar、H2、N2、O2、CF4等工藝氣體激發(fā)、震蕩形成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子體,進(jìn)而與有機(jī)污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì),由工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去,從而達(dá)到表面清潔、活化、刻蝕等目的。如下圖所示:

2、等離子清洗并不會(huì)破壞被處理的材料或者產(chǎn)品的固有特性,發(fā)生改變的僅僅是表面納米級的厚度,被清洗的材料或產(chǎn)品表面污染物被去除,分子鍵打開后極其微小的結(jié)構(gòu)變化,形成一定的粗糙度或者是在表面產(chǎn)生親水性的官能基,使得金屬焊接的可靠性增強(qiáng)、不同材料之間的結(jié)合力提高等,從而提高產(chǎn)品的信賴度、穩(wěn)定性,延長產(chǎn)品的使用壽命。
3、半導(dǎo)體封裝等離子清洗根據(jù)其反應(yīng)類型可分為以下三種:
a.物理反應(yīng)的清洗:利用Ar等惰性氣體輕易不與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),離子質(zhì)量比較重,對材料表面進(jìn)行物理轟擊,清除污染物或?qū)⒏叻肿拥逆I結(jié)打斷,形成微結(jié)構(gòu)粗糙面。
例:Ar+e- →Ar++2e- Ar++沾污→揮發(fā)性沾污
Ar+在自偏壓或外加偏壓作用下被加速產(chǎn)生動(dòng)能,然后轟擊在放在負(fù)電極上的被清洗工件表面,一般用于去除氧化物、環(huán)氧樹脂溢出或是微顆粒污染物,同時(shí)進(jìn)行表面能活化。
b.化學(xué)反應(yīng)的清洗:利用H2、O2等活躍性氣體的特性,使之發(fā)生還原反應(yīng)或形成多鍵結(jié)構(gòu)的活性官能團(tuán),進(jìn)行表面改性,提高親水性等。
例1:O2+e- →2O*+e- O*+有機(jī)物→CO2+H2O
從反應(yīng)式可見,氧等離子體通過化學(xué)反應(yīng)可使非揮發(fā)性有機(jī)物變成易揮發(fā)的H2O和CO2。
例2:H2+e- →2H*+e- H*+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬+H2O
從反應(yīng)式可見,氫等離子體通過化學(xué)反應(yīng)可以去除金屬表面氧化層,清潔金屬表面。
c.物理化學(xué)反應(yīng)的清洗:根據(jù)需要通入不同組合的工藝氣體,例如Ar、H2混合氣,其效果既有良好的選擇性、清洗性、均勻性,又有較好的方向性。
以上關(guān)于半導(dǎo)體封裝等離子清洗設(shè)備的基本技術(shù)原理描述清楚了嗎?您有什么異議或更好的補(bǔ)充呢?歡迎大家留言與我們交流和分享。
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