晶圓表面等離子處理的原理
文章導(dǎo)讀：等離子清洗是通過(guò)等離子體的作用來(lái)去除晶圓表面的污染物和殘留物。等離子體是一種高能離子，具有很強(qiáng)的化學(xué)反應(yīng)性和機(jī)械作用力。當(dāng)?shù)入x子體與晶圓表面接觸時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和物理作用，從而去除表面的污染物和殘留物。
為什么要去除光刻膠？
眾所周知，光刻膠是半導(dǎo)體晶圓制造的核心材料。在晶圓制程中，光刻工藝約占整個(gè)晶圓制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)晶圓工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。
在光刻環(huán)節(jié)里有個(gè)不可或缺的步驟就是晶圓去膠，光刻膠在完成圖形復(fù)制和傳遞作用后，晶圓表面剩余光刻膠需要通過(guò)去膠工藝進(jìn)行完全清除。
等離子表面處理的工作原理
其中等離子表面處理的工作原理是，在真空狀態(tài)下，處理腔室中的壓力會(huì)越來(lái)越小，分子間距增加，導(dǎo)致分子間相互的力變小，而在這種情況下利用高頻電源產(chǎn)生的高壓交變電場(chǎng)會(huì)將氧氣、氫氣、氬氣、四氟化碳等工藝氣體震蕩成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子體，然后與有機(jī)污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞，以此形成揮發(fā)性物質(zhì)，然后有工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達(dá)到等離子表面清潔、活化等目的。（雙腔體等離子處理機(jī)）
1、表面清潔
在先進(jìn)封裝中，PI膠或光刻膠經(jīng)濕法去膠后，表面仍然殘留一定的較薄的膠層；而在凸點(diǎn)工藝結(jié)束后，需要將下金屬層UBM多余的部分用濕法刻蝕除去，但是濕法去除并不徹底。通常使用O2 Plasma來(lái)去除殘膠，用Ar離子轟擊除去殘留金屬。
2、提高結(jié)合力
等離子轟擊晶圓表面，可以對(duì)表面進(jìn)行粗化，增加表面的粗糙度。另一方面對(duì)晶圓表面進(jìn)行改性，這兩個(gè)措施都能提高基材與沉積膜層的結(jié)合力。
3、改善潤(rùn)濕性
使用等離子處理后的材料，增加了表面的極性基團(tuán)，親水性提升，接觸角減小。
等離子清洗是通過(guò)等離子體的作用來(lái)去除晶圓表面的污染物和殘留物。等離子體是一種高能離子，具有很強(qiáng)的化學(xué)反應(yīng)性和機(jī)械作用力。當(dāng)?shù)入x子體與晶圓表面接觸時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和物理作用，從而去除表面的污染物和殘留物。
眾所周知，光刻膠是半導(dǎo)體晶圓制造的核心材料。在晶圓制程中，光刻工藝約占整個(gè)晶圓制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)晶圓工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。
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其中等離子表面處理的工作原理是，在真空狀態(tài)下，處理腔室中的壓力會(huì)越來(lái)越小，分子間距增加，導(dǎo)致分子間相互的力變小，而在這種情況下利用高頻電源產(chǎn)生的高壓交變電場(chǎng)會(huì)將氧氣、氫氣、氬氣、四氟化碳等工藝氣體震蕩成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子體，然后與有機(jī)污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞，以此形成揮發(fā)性物質(zhì)，然后有工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達(dá)到等離子表面清潔、活化等目的。（雙腔體等離子處理機(jī)）
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等離子轟擊晶圓表面，可以對(duì)表面進(jìn)行粗化，增加表面的粗糙度。另一方面對(duì)晶圓表面進(jìn)行改性，這兩個(gè)措施都能提高基材與沉積膜層的結(jié)合力。
3、改善潤(rùn)濕性
使用等離子處理后的材料，增加了表面的極性基團(tuán)，親水性提升，接觸角減小。
等離子清洗是通過(guò)等離子體的作用來(lái)去除晶圓表面的污染物和殘留物。等離子體是一種高能離子，具有很強(qiáng)的化學(xué)反應(yīng)性和機(jī)械作用力。當(dāng)?shù)入x子體與晶圓表面接觸時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和物理作用，從而去除表面的污染物和殘留物。
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