普樂(lè)斯收集晶圓代工產(chǎn)能市場(chǎng)排名和現(xiàn)狀情報(bào)！
文章導(dǎo)讀：市場(chǎng)對(duì)晶圓代工產(chǎn)能的需求從未像當(dāng)下這么強(qiáng)烈，從成熟制程到先進(jìn)制程，幾乎全線處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。在這種情況下，能夠通吃成熟和先進(jìn)制程的晶圓代工廠就可以在市場(chǎng)上處于優(yōu)勢(shì)地位，誰(shuí)覆蓋的面更廣，誰(shuí)就能在競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)上風(fēng)。從排名來(lái)看，也基本體現(xiàn)出了這樣的局面，特別是全球排名前五的晶圓代工廠，分別是臺(tái)積電、三星、聯(lián)電、格芯、中芯國(guó)際。
市場(chǎng)對(duì)晶圓代工產(chǎn)能的需求從未像當(dāng)下這么強(qiáng)烈，從成熟制程到先進(jìn)制程，幾乎全線處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。在這種情況下，能夠通吃成熟和先進(jìn)制程的晶圓代工廠就可以在市場(chǎng)上處于優(yōu)勢(shì)地位，誰(shuí)覆蓋的面更廣，誰(shuí)就能在競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)上風(fēng)。從排名來(lái)看，也基本體現(xiàn)出了這樣的局面，特別是全球排名前五的晶圓代工廠，分別是臺(tái)積電、三星、聯(lián)電、格芯、中芯國(guó)際。普樂(lè)斯電子關(guān)注晶圓市場(chǎng)的發(fā)展動(dòng)態(tài)！
這幾家都有成熟制程和先進(jìn)制程產(chǎn)線，但所占比例各不相同，其中，臺(tái)積電的先進(jìn)制程最強(qiáng)，所占比重最高，三星緊隨其后，這是它們排名前二的重要原因；聯(lián)電和格芯都以成熟制程為主，有一部分先進(jìn)制程；中芯國(guó)際則以成熟制程為主，先進(jìn)制程總體處于生長(zhǎng)、起步階段。
以節(jié)點(diǎn)來(lái)看，成熟制程和先進(jìn)制程很難有明確的劃分，本文則以28nm為分界線，小于28nm的節(jié)點(diǎn)為先進(jìn)制程，反之則為成熟制程，另外，每家公司都有各自的特殊制程，相應(yīng)的節(jié)點(diǎn)會(huì)分布在28nm左右兩側(cè)。下面就看一下全球晶圓代工5強(qiáng)近一年內(nèi)在成熟和先進(jìn)制程方面的發(fā)展和表現(xiàn)。
1.臺(tái)積電
提到臺(tái)積電，先進(jìn)制程已經(jīng)成為了該公司的名片，特別是7nm、5nm和3nm。
7nm方面，臺(tái)積電已經(jīng)在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上獲得了超過(guò)200個(gè)NTO，且大多投入量產(chǎn)。臺(tái)積電已經(jīng)生產(chǎn)了超過(guò)10億顆7nm芯片。在7nm時(shí)代，臺(tái)積電還率先推出了使用EUV技術(shù)的7nm+工藝。在7nm基礎(chǔ)上，該公司推出了6nm工藝，這個(gè)平臺(tái)的一個(gè)主要特點(diǎn)是與7nm工藝平臺(tái)兼容，這樣，客戶很容易把7nm的設(shè)計(jì)移植到6nm，臺(tái)積電還基于N5平臺(tái)推出了N4工藝，其速度、功耗和密度都有了改善。
2.三星
在先進(jìn)制程方面，三星是唯一能沖擊臺(tái)積電的晶圓代工廠。繼7nm之后，三星正在5nm制程方面向臺(tái)積電發(fā)動(dòng)著攻擊。三星的5nm制程于2020年第三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，稍晚于臺(tái)積電，但相差不多。三星的5LPE（5nm低功耗早期）制造技術(shù)是該公司7LPP（7nm低功耗性能）制造工藝的改進(jìn)，該工藝已經(jīng)使用了兩年。
3.聯(lián)電
2020年，聯(lián)電在先進(jìn)制程平臺(tái)推出14nm 14FFC制程、22nm超低功耗22ULP及超低漏電流22ULL制程、28nm高效能運(yùn)算28HPC+制程等均已進(jìn)入量產(chǎn)，并采用28HPC+制程量產(chǎn)圖像信號(hào)處理器（ISP），且今年導(dǎo)入更先進(jìn)產(chǎn)品。聯(lián)電還針對(duì)毫米波（mmWave）制程完成了55nm／40nm／28nm平臺(tái)，可應(yīng)用于移動(dòng)裝置、物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、車用電子及工業(yè)雷達(dá)。
在特殊制程方面，聯(lián)電28nm高壓制程在晶圓代工業(yè)界是第一個(gè)開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)OLED面板驅(qū)動(dòng)IC的廠商，22nm高壓22eHV制程研發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期。RFSOI技術(shù)可滿足所有4G／5G手機(jī)對(duì)射頻開(kāi)關(guān)的嚴(yán)格要求，目前90nm制程已進(jìn)入量產(chǎn)，55nm制程即將導(dǎo)入量產(chǎn)，同時(shí)已著手開(kāi)發(fā)40nm RFSOI技術(shù)平臺(tái)，以滿足后續(xù)5G和mmWave市場(chǎng)增長(zhǎng)需求。
4.格芯
格芯主攻成熟制程，其在先進(jìn)制程方面涉獵已經(jīng)很少，最先進(jìn)的是12nm工藝。2020年，該公司宣布其最先進(jìn)的FinFET制程工藝12LP＋大功告成。按照格芯的說(shuō)法，12LP＋相較于12LP，性能增加了20%、規(guī)模面積減少了10%。
目前，12LP＋已經(jīng)在AI訓(xùn)練芯片領(lǐng)域通過(guò)了IP驗(yàn)證，可減少生產(chǎn)成本、創(chuàng)造更大價(jià)值。另外，格芯也在豐富12LP＋的IP組合包，目標(biāo)包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e顯存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。
在成熟制程方面，格芯主要涉及28nm/22nm、40nm/45nm、55nm/65nm、90nm、130nm工藝。
5.中芯國(guó)際
受國(guó)際形勢(shì)影響，中芯國(guó)際先進(jìn)制程研發(fā)進(jìn)展受阻，預(yù)計(jì)14nm以下節(jié)點(diǎn)制程帶來(lái)的營(yíng)收將有所下降。然而，由于市場(chǎng)對(duì)40nm及以上成熟制程的需求仍然維持在較高水平，2020年，中芯國(guó)際憑借在成熟制程方面的優(yōu)勢(shì)取得了17%的營(yíng)收年增長(zhǎng)率及5%的市場(chǎng)占有率。中芯國(guó)際全年14nm/28nm營(yíng)收占比為9.3%，40nm/45nm營(yíng)收占比為16%，55nm/65nm營(yíng)收占比為30%，合計(jì)占比超過(guò)總營(yíng)收的一半以上。
在當(dāng)今的產(chǎn)業(yè)環(huán)境下，晶圓代工的地位愈加突出，而在成熟和先進(jìn)制程方面具備多線能力的廠商，其市場(chǎng)接受度會(huì)更高，營(yíng)收能力更強(qiáng)。越全面，越能實(shí)現(xiàn)通吃。
普樂(lè)斯關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)動(dòng)態(tài)，市場(chǎng)的發(fā)展和我們的發(fā)展息息相關(guān)，普樂(lè)斯將一直保持初心，做好等離子體設(shè)備的同時(shí)努力研發(fā)出新產(chǎn)品，為更多的行業(yè)提供等離子體清洗技術(shù)。
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普樂(lè)斯電子12年專注研制等離子清洗機(jī)，等離子體清洗機(jī)，等離子清洗設(shè)備，常壓大氣和低壓真空型低溫等離子表面處理設(shè)備，大氣低溫等離子體表面處理系統(tǒng)，大氣常壓收放卷等離子表面設(shè)備處理，已通過(guò)ISO9001質(zhì)量體系和歐盟CE認(rèn)證，為電子、半導(dǎo)體、汽車、yi療等領(lǐng)域的客戶提供清洗、活化、刻蝕、涂覆的等離子表面處理解決方案，是行業(yè)內(nèi)值得信賴的等離子清洗機(jī)廠家。如果您想要了解更多關(guān)于產(chǎn)品的詳細(xì)內(nèi)容或在設(shè)備使用中有疑問(wèn)，歡迎點(diǎn)擊普樂(lè)斯的在線客服進(jìn)行咨詢，或者直接撥打全國(guó)統(tǒng)一服務(wù)熱線400-816-9009，普樂(lè)斯隨時(shí)恭候您的來(lái)電！
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