氮化硅有何特點？等離子表面處理設備是如何刻蝕氮化硅的？
文章導讀：氮化硅，即Si3N4，是目前較為熱門的新材料之一，其具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩(wěn)定性好等特色，在諸多范疇都有運用。在晶圓制作中，氮化硅是能夠代替氧化硅使用的。
氮化硅（Si3N4）的材料特點：氮化硅是當前較為熱門的新材料之一，具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩(wěn)定性好等特點，在諸多范疇都有使用。在晶圓制作中，氮化硅可代替氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圓外表形成十分薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，使用zui為廣泛的描繪薄膜厚度的單位是埃），厚度約在數十埃，保護外表，防止劃傷，此外其杰出的絕緣強度和抗氧化才能也能夠很好地達到阻隔的作用。氮化硅的流動性不如氧化物，因此較為難以刻蝕，采用等離子外表處理設備的刻蝕工藝可以克服刻蝕上的難點。
等離子體刻蝕是通過化學作用或者物理作用，又或者是物理和化學的共同作用來完成的。反應過程是通過反應腔室內的氣體通過輝光放電，從而形成包含離子、電子及游離基等活性物質的等離子體，因其具有擴散性，會吸附到介質的表面，從而與介質表面原子發(fā)生化學反應，形成揮發(fā)性物質。與此同時，高能離子會在一定壓力下對介質表面進行物理轟擊以及刻蝕，來去除再沉積的反應產品和聚合物。經過化學和物理的共同作用來完成對介質層的刻蝕。
等離子體刻蝕在晶圓制作工藝中是非常重要的一種，也是微電子IC制作工藝以及微納制作工藝中的一種相當重要的步驟，一般是在光刻膠涂布以及光刻顯影之后，通過將光刻膠作為掩膜，等離子體經過物理濺射和化學作用來將我們并不需要的金屬去除，光刻膠在這過程中就相當于反應的保護膜，其意圖是為了構成與光刻膠圖形相同的線路圖形。等離子表面處理設備的刻蝕工藝是目前主流的干式刻蝕，因其具有較好的刻蝕速率以及良好的方向性，現(xiàn)在已逐步代替?zhèn)鹘y(tǒng)的濕法刻蝕。
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