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等離子清洗機(jī)在晶圓表面處理中的應(yīng)用

返回列表 來(lái)源:普樂(lè)斯 瀏覽: 發(fā)布日期:2019-07-08 11:04【
文章導(dǎo)讀:晶圓加工是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中資金投入多的部分,等離子清洗機(jī)目前在晶圓代工應(yīng)用普遍,普樂(lè)斯也有專(zhuān)門(mén)用于晶圓加工中的等離子設(shè)備。
在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,中國(guó)晶圓代工部份的投入的很多。具體來(lái)說(shuō),晶圓代工就是在硅晶圓上制作電路與電子元件,這個(gè)步驟為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)相當(dāng)復(fù)雜,且資金投入多的領(lǐng)域。等離子清洗機(jī)常用于去除晶圓表面的particle(微粒)、徹底去除光刻膠和其他有機(jī)物、活化及粗化晶圓表面、提高晶圓表面浸潤(rùn)性等,等離子清洗機(jī)在晶圓表面處理上的處理效果明顯,目前在晶圓加工中普遍使用。
晶圓級(jí)封裝等離子設(shè)備

晶圓光刻工序是整個(gè)晶圓代工流程中重要的工序之一。其原理是在晶圓片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光阻劑,再用光線透過(guò)掩模照射在晶圓片表面,被光線照射到的光阻劑會(huì)發(fā)生反應(yīng),從而達(dá)到電路圖的移轉(zhuǎn)。
 
晶圓刻蝕:就是通過(guò)光阻劑暴露區(qū)域來(lái)去掉晶圓表層的工藝。主要分為兩大類(lèi):濕式刻蝕和干式刻蝕。簡(jiǎn)單區(qū)分,濕式刻蝕局限在2微米以上圖形尺寸,而干式刻蝕則用在更加精細(xì)且要求更高的先進(jìn)電路中。
晶圓-普樂(lè)斯等離子清洗機(jī)
晶圓級(jí)封裝的等離子體處理是一種干式的清洗方式,具有一致性好、可控性強(qiáng)的特點(diǎn),目前等離子清洗機(jī)在光刻及刻蝕的前后道工藝中已經(jīng)逐漸普及與使用。

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    ‌高效徹底‌:能夠深入微納米級(jí)孔隙中,徹底清除難以觸及的污染物。

    ‌環(huán)保節(jié)能‌:無(wú)需使用化學(xué)溶劑,減少?gòu)U水廢氣排放,符合綠色生產(chǎn)要求,且能耗低。

    ‌廣泛適用‌:適用于多種材料表面,包括金屬、陶瓷、玻璃、塑料等,不會(huì)對(duì)材料性能產(chǎn)生負(fù)面影響。

    ‌工藝可控‌:通過(guò)調(diào)整工作氣體種類(lèi)、壓力、功率等參數(shù),可精確控制清洗過(guò)程‌。


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