山東大學團隊,成功研制4英寸氧化鎵,這種材料能通過等離子清洗機處理嗎?
文章導讀:近日,山東大學陶緒堂教授團隊使用導模法(EFG)成功制備了外形完整的4英寸(001)主面氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并對其性能進行了分析。
近日,山東大學陶緒堂教授團隊使用導模法(EFG)成功制備了外形完整的4英寸(001)主面氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并對其性能進行了分析。這種材料能通過等離子清洗機處理嗎?
勞厄測試衍射斑點清晰、對稱,說明晶體具有良好的單晶性,無孿晶;X射線衍射搖擺曲線顯示晶體(400)面半峰全寬僅為57.57″,結晶質(zhì)量較高;濕法化學腐蝕測試結果表明,晶體位錯密度為1.06×104 cm-2;C-V測試確認β-Ga2O3晶體中載流子濃度為7.77×1016 cm-3。測試結果表明,該團隊通過導模法獲得了高質(zhì)量的4英寸β-Ga2O3單晶。相關內(nèi)容以“4英寸氧化鎵單晶生長與性能研究”為題已在《人工晶體學報》網(wǎng)絡首發(fā)(DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20220831.001.)。該成果是繼2019年團隊獲得4英寸(100)主面單晶后的又一新突破。
此外,團隊通過優(yōu)化提拉法晶體生長工藝,在原有1英寸晶體基礎上,成功放大到2英寸,晶體外形規(guī)整、無裂紋,晶體質(zhì)量較高。晶體生長尺寸與德國IKZ及美國空軍實驗室相當,達到國際先進水平。
山東大學晶體材料國家重點實驗室在國內(nèi)最早開展導模法氧化鎵單晶生長,經(jīng)過長期潛心攻關,從零開始,先后突破了1~4英寸氧化鎵單晶生長、缺陷、摻雜、加工等關鍵核心技術。通過導模法、提拉法等多種晶體生長方法,生長出n型導電及半絕緣氧化鎵晶體并開展了系統(tǒng)的晶體加工和缺陷研究,為打破國外技術封鎖和產(chǎn)品禁運奠定了基礎。
β-Ga2O3作為超寬禁帶半導體材料,可用于制備功率器件、紫外探測器、高能射線探測器,同時也可作為GaN、ZnO等半導體的襯底材料使用。由于超高的擊穿場強和巴利加優(yōu)值,β-Ga2O3功率器件具有耐壓高、導通損耗低、開關速度快的優(yōu)點。目前,β-Ga2O3二極管及場效應晶體管器件耐壓均可達幾千伏,器件擊穿場強已超過SiC和GaN的理論極限。
由于β-Ga2O3禁帶寬度為4.8 eV,吸收截止邊位于260 nm處,紫外透過率可達80%以上,并且具有良好的化學穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。因此,β-Ga2O3晶體自身便滿足“日盲”光電器件的需求,避免了目前常用氮化物需要合金化等復雜問題。β-Ga2O3晶體因其卓越的材料性能,在深紫外光電探測以及超高壓功率器件方面具有重要的應用,也是最近美國等西方國家對我國實施禁運的關鍵材料。
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